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描述
256Mb的sdram是一个高速CMOS,动态随机存取存储器,包含268,435,456位。它在内部配置为一个具有同步接口的四分组DRAM(所有信号都注册在时钟信号的正边缘,CLK)。x4的67,108,864位银行中的每一个都被组织为2048行和4位的8192行。每个x8的67,108,864位的银行被组织成8192行,1024列,8位。x16的67,108,864位银行中的每个银行都被组织为8192行,512列,16位。
对sdram的读写访问是面向突发的;访问从选定的位置开始,并在编程序列中继续进行编程数量的位置。访问从注册活动命令开始,然后是读或写命令。与活动命令同时注册的地址位用于选择要访问的行和行(BA[1:0]选择行;A[12:0]选择该行)。与READ或写命令一致的地址位用于选择突发访问的起始列位置。
sdram提供了可编程的读或写突发长度(BL)为1个、2个、4个或8个位置,或整个页,带有一个突发终止选项。可以启用自动预充电功能,以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电。
这个256mb的sdram使用了一个内部的流水线架构来实现高速操作。该体系结构与预取体系结构的2n规则兼容,但它也允许在每个时钟周期中更改列地址,以实现高速、完全随机的访问。在访问其他三家银行中的一家银行时进行预收费,将隐藏预收费周期,并提供无缝、高速、随机接入操作。
256Mb的sdram被设计为在3.3V内存系统中运行。它提供了一种自动刷新模式,以及一种节电、断电模式。所有的输入和输出都是与LVTTL兼容的。
SDRAM提供DRAM操作性能的实质性进步,包括同步突发数据的能力高数据率自动列地址生成,能够交错内部银行隐藏预充电时间,能够随机改变列地址在每个时钟周期在突发访问。
汽车温度
汽车温度(AT)选项符合以下规格:
?16毫秒刷新率
?不支持自刷新
?环境温度和外壳温度不得低于-40°C或高于+105°C
特征
?PC100和PC133兼容
?完全同步;所有信号均呈阳性
系统时钟边缘
?内部流水线操作;列地址可以
每个时钟周期都会改变
?用于隐藏行访问/预充电的内部银行
?可编程突发长度:1、2、4、8或整页
?自动预充电,包括同时自动预充电
和自动刷新模式
?自刷新模式(AT设备上不可用)
?自动刷新
–64ms,8192次循环刷新(商用和商用)
(工业)
–16ms,8192循环刷新(自动)
?LVTTL兼容的输入和输出
?单个3.3V±0.3V电源
选项标记
?配置
–64兆欧x4(16兆欧x4×4组)64M4
32x8兆欧
-16兆欧x16(4兆欧x16×4组)16M16
?写恢复(tWR)
–tWR=2 CLK A2
?塑料包装——OCPL1
–54针TSOP II OCPL1
(4亿)
(标准)
甘油三酯
–54针TSOP II OCPL1
(4亿)
无铅
P
选项标记
–60球FBGA(x4,x8)(8mm x 16mm)FB
-60球FBGA(x4,x8)(8mm x 16mm)
无铅
BB
–54球VFBGA(x16)(8毫米x14毫米)FG2
–54球VFBGA(x16)(8毫米x14毫米)
无铅
BG2
–54球VFBGA(x16)(8mm x 8mm)F43
–54球VFBGA(x16)(8mm x 8mm)
无铅
B43
?定时–循环时间
-6ns@CL=3(仅限x8、x16)-6A
-7.5ns@CL=3(PC133)-752
-7.5ns@CL=2(PC133)-7E
?自我刷新
–标准无
–低功耗L2
,
4.
?工作温度范围
–商用(0?C至+70?C)无
–工业(–40?C至+85?C)IT
–汽车温度在4摄氏度时(–40摄氏度至+105摄氏度)
?修订版:D/:G